收藏本站
μ PA2790GR
P-channel
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(off)
| y fs |
TEST CONDITIONS
V DS = ? 30 V, V GS = 0 V
V GS = m 16 V, V DS = 0 V
V DS = ? 10 V, I D = ? 1 mA
V DS = ? 10 V, I D = ? 3 A
MIN.
? 1.0
2
TYP.
MAX.
? 10
m 10
? 2.5
UNIT
μ A
μ A
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
R DS(on)3
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = ? 10 V, I D = ? 3 A
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 3 A
V GS = ? 4.0 V, I D = ? 3 A
V DS = ? 10 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = ? 15 V, I D = ? 3 A
V GS = ? 10 V
R G = 10 Ω
43
58
65
460
130
77
8.5
4.8
42
60
80
110
m Ω
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
19
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
I D = ? 6 A
V DD = ? 24 V
V GS = ? 10 V
11
1.7
3.3
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 6 A, V GS = 0 V
I F = 6 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0.92
21
12
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
D.U.T.
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
V GS = ? 20 → 0 V
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
R G
D.U.T.
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS ( ? )
10%
0
V GS
90%
V DS ( ? )
?
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS ( ? )
0
V DS
Wave Form
V DS
0
90%
10% 10%
90%
V DD
Starting T ch
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t d(on)
t on
t r t d(off)
t off
t f
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = ? 2 mA
R L
4
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet G16954EJ3V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
UPA2791GR-E2-AT MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
UPA602T-T1-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59
UPA603T-T2-A MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59
UPA606T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59
UPA607T-T1-A MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59
UPA610TA-T2-A MOSFET P-CH DUAL 30V SC-59
UPA611TA-T2-A MOSFET N-CH DUAL 30V SC74-6
UPA621TT-E2-A MOSFET N-CH 20V 6-WSOF
相关代理商/技术参数
UPA2791GR 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2791GR-E1-AT 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA2791GR-E2-AT 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA2792AGR-E1-AT 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:COMPLEMENTARY MOSFET 30V, NCH/PCH 8PIN SOP - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET ARRAY 30V 10A 8SOP
UPA2794GR-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2794GR-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2806 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
UPA2806T1L-E1-AY 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR